RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2984
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link