RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3027
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link