RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3683
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link