RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1757
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link