RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2806
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link