RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3033
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link