RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3779
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link