RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
56
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3818
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link