RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3552
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link