RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
3014
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link