RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3409
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link