RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
2890
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link