RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3344
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link