RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2795
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link