RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3242
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link