RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3540
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link