RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3327
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link