RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3313
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link