RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3614
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link