RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4072
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link