RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3113
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link