RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2413
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link