RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Super Talent F24EB8GS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3017
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link