RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2960
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link