RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3299
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link