RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2595
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link