RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3061
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link