RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3779
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link