RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
1979
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link