RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
166
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
166
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1107
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link