RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3636
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link