RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3135
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link