RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2871
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link