RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3187
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link