RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
51
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3027
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link