RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3531
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link