RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
4051
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link