RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3697
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link