RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2867
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link