RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2585
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link