RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3889
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link