RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
75
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
75
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
1735
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link