RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
52
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3519
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link