RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
1433
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link