RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2081
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link