RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
65
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
65
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
1836
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link