RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
75
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
75
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
1735
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link