RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link