RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3837
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link