RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2034
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link